Advances in Semiconductor Lasers and Application to Optoelectronic
Selected Topics in
Résumé
| Foreword | ||
| Preface to "Advances in Semiconductor Lasers and Applications to Optoelectronics" | ||
| Tunnel Injection Lasers | 1 | |
| Quantum Well Intersubband Lasers | 21 | |
| Advances in Measurements of Physical Parameters of Semiconductor Lasers | 55 | |
| Lateral Injection Lasers | 95 | |
| Extended Wavelength (1.1 to 1.3 [mu]m) InGaAs/GaAs Quantum Dot GaAs-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting and Lateral-Cavity Edge-Emitting Lasers | 133 | |
| GaN-Based Laser Diodes | 161 | |
| Quantum-Dot Semiconductor Lasers | 235 | |
| Device Characteristics of Low-Threshold Quantum-Dot Lasers | 263 | |
| Nitride Lasers: Optical Gain and Device Implications | 293 | |
| Advanced Concepts in Intersubband Unipolar Lasers | 317 | |
| Optoelectronic Properties of Strained Wurtzite GaN Quantum-Well Lasers | 343 | |
| Carrier Capture in Semiconductor Quantum Well Lasers: A Quantum Transport Analysis | 365 | |
| Quantum State Engineering Based on Electromagnetic Analogies and Numerical Methods for Semiconductor Intersubband Lasers | 389 | |
| Advanced Semiconductor Lasers: Phonon Engineering and Phonon Interactions | 419 |
Caractéristiques techniques
| PAPIER | |
| Éditeur(s) | World Scientific |
| Auteur(s) | Mittra Dutta |
| Parution | 01/11/2000 |
| Nb. de pages | 448 |
| Format | 17 x 25,5 |
| Couverture | Relié |
| Poids | 942g |
| Intérieur | Noir et Blanc |
| EAN13 | 9789810242572 |
Avantages Eyrolles.com
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