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Élaboration de nano-objets cristallins (si & sige) par rtcvd
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Librairie Eyrolles - Paris 5e
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Élaboration de nano-objets cristallins (si & sige) par rtcvd

Élaboration de nano-objets cristallins (si & sige) par rtcvd

Cinétiques et morphologies

Clément Pribat - Collection Omn.univ.europ.

276 pages, parution le 04/02/2011

Résumé

Aujourd'hui, la loi de Moore est affectée par les limitations physiques rencontrées dans les technologies avancées entrainant ainsi leur complexification. Il devient alors nécessaire de développer de nouveaux procédés, comme illustré dans le cas de l'épitaxie. Parce que les procédés CVD sont devenus très performants, ils offrent des solutions technologiques qui permettent de poursuivre la miniaturisation des composants grâce à leur intégration décisive dans ces technologies. L'objectif de cette thèse est donc de répondre à cette demande de nouveaux procédés par l'étude de l'élaboration de nano-objets Si & SiGe réalisés par RTCVD. Dans cet ouvrage, nous discutons des caractéristiques physiques des films Si & SiGe déposés (ou gravés) en fonction de paramètres physiques (orientation cristalline, température...) et de paramètres liés aux impératifs de production (effets de charge, choix d'un procédé...). Dans une dernière partie, nous présentons l'effet de recuits sur des objets Si & SiGe de géométrie et de taille différentes. L'ensemble de nos résultats nous a alors permis d'intégrer efficacement une étape d'épitaxie dans la fabrication d'un dispositif avancé; le transistor FinFET.

Caractéristiques techniques

  PAPIER
Éditeur(s) Editions universitaires européennes
Auteur(s) Clément Pribat
Collection Omn.univ.europ.
Parution 04/02/2011
Nb. de pages 276
Format 15 x 22
Couverture Broché
Poids 410g
EAN13 9786131561801

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