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Power Microelectronics 2ed
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Librairie Eyrolles - Paris 5e
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Power Microelectronics 2ed

Power Microelectronics 2ed

Yung c liang (author)|ganesh s samudra (author)|chih-fang huang (author)

600 pages, parution le 26/05/2017

Résumé

Previous edition: 2009.This descriptive textbook provides a clear look at the theories and process technologies necessary for understanding the modern power semiconductor devices, i.e. from the fundamentals of p-n junction electrostatics, unipolar MOSFET and superjunction structures, bipolar IGBT, to the most recent wide bandgap SiC and GaN devices. It also covers their associated semiconductor process technologies. Real examples based on actual fabricated devices, with the process steps described in clear detail are especially useful. This book is suitable for university courses on power semiconductor or power electronic devices. Device designers and researchers will also find this book a good reference in their work, especially for those focusing on the advanced device development and design aspects.Second editionTK7871.85Power semiconductors.1SingaporeSingapore

Caractéristiques techniques

  PAPIER
Éditeur(s) World scientific publ.
Auteur(s) Yung c liang (author)|ganesh s samudra (author)|chih-fang huang (author)
Parution 26/05/2017
Nb. de pages 600
EAN13 9789813200241

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