Résumé
This book first summarizes the formation methods and
properties of semiconducting silicides (Mg2 Si, BaSi2,
hexagonal MOSi2 and WSi2, MnSi2-x, ReSil.75, b-FeSi2,
RU2Si3, OSSi, OS2Si3, OSSi2, Ir3Si3), discussing new
prospects for silicon-based micro- and nano-electronics,
optoelectronics and thermoelectrics. General material
parameters, the thermodynamics and kinetics of formation,
and particular semiconductor characteristics, including
electronic band structure, optical and transport properties
are collected and critically analyzed. The materials are
shown to be effectively synthesized in thin films and bulk
crystals by a variety of approaches used in modern
solid-state technology.
Contents
- Nomenclature
- General material Aspects
- Thin Film Silicide Formation
- Crystal Growth
- Fundamental Electronic and Optical Properties
- Transport Propertie
- References
- Subject Index
Caractéristiques techniques
| PAPIER | |
| Éditeur(s) | |
| Auteur(s) | V.E. Borisenkoi |
| Parution | 01/03/2000 |
| Nb. de pages | 348 |
| Format | 15,7 x 24 |
| Couverture | Relié |
| Poids | 588g |
| Intérieur | Noir et Blanc |
| EAN13 | 9783540661115 |
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