
Résumé
Contents
- 1 Introduction 1
- 2 Surface Space-Charge Region in Thermal Equilibrium 20
- 3 Surface States 31
- 4 Occupation of Surface States and Surface Band-Bending in Thermal Equilibrium 54
- 5 Surface Space-Charge Region in Non-Equilibrium 61
- 6 Interface States 75
- 7 Cleaved {110} Surfaces of III-V and II-VI Compound Semiconductors 93
- 8 {100} Surfaces of III-V, II-VI, and I-VII Compound Semiconductors with Zincblende Structure 130
- 9 {100} Surfaces of Silicon, Germanium, and Cubic Silicon Carbide 151
- 10 Diamond, Silicon, and Germanium {111}-2 x 1 Surfaces 171
- 11 Si(111)-7 x 7 and Ge(111)-c(2 x 8) Surfaces 196
- 12 Phase Transitions on Silicon and Germanium {111} Surfaces 215
- 13 {111} Surfaces of Compounds with Zincblende Structure 226
- 14 Monovalent Adatoms 232
- 15 Group-III Adatoms on Silicon Surfaces 296
- 16 Group-V Adatoms 304
- 17 Oxidation of Silicon and III-V Compound Semiconductors 316
- 18 Surface Passivation by Adsorbates and Surfactants 340
- 19 Semiconductor Interfaces 347
- Appendix 399
- References 403
- Index of Reconstructions and Adsorbates 433
- Subject Index 435
Caractéristiques techniques
PAPIER | |
Éditeur(s) | Springer |
Auteur(s) | Winfried Mönch |
Parution | 01/04/2001 |
Nb. de pages | 549 |
Format | 15,5 x 24 |
Couverture | Relié |
Poids | 827g |
Intérieur | Noir et Blanc |
EAN13 | 9783540679028 |
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