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Dopage au bore du silicium amorphe hydrogène déposé par pulvérisation
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Librairie Eyrolles - Paris 5e
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Dopage au bore du silicium amorphe hydrogène déposé par pulvérisation

Dopage au bore du silicium amorphe hydrogène déposé par pulvérisation

Dépôt des couches minces de silicium amorphe hydrogéné dopé au bore par la technique pulvérisation d

Nabil Khelifati - Collection Omn.pres.franc.

112 pages, parution le 02/05/2013

Résumé

Dès la découverte du silicium amorphe hydrogéné vers la fin des années soixante, de nombreux efforts de recherche ont été entrepris sur ce matériau afin d'arriver à mieux comprendre ses propriétés et élargir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce matériau procure est la possibilité de le déposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible coût. A côté de ces avantages, la possibilité qu'il soit dopé et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivité, a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la réalisation de diverses structures électroniques. Il y a donc eu de rapides progrès dans l'étude du silicium amorphe depuis 1975, date à laquelle les premières expériences de dopage ont été mentionnées. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilisé pour le rendre intrinsèque et obtenir une conductivité minimum. Ce matériau est l'élément actif de nombreux dispositifs électroniques comme les cellules solaires, les photorécepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages élevés sont nécessaires pour réaliser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le matériau intrinsèque.

Caractéristiques techniques

  PAPIER
Éditeur(s) Presses Academiques Francophones
Auteur(s) Nabil Khelifati
Collection Omn.pres.franc.
Parution 02/05/2013
Nb. de pages 112
Format 15 x 22
Couverture Broché
Poids 177g
EAN13 9783838179919

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